给摩尔定律续命 EUV光刻暂难当大任

　近年来，在半导体行业，极紫外光刻（Extreme Ultra-Violet，以下简称EUV光刻）成为备受众多企业关注的光刻技术之一。

　　前段时间，台湾积体电路制造股份有限公司宣布，已采用7纳米EUV工艺。今年，三星公司正式发布了7纳米EUV芯片Exynos 9825，该公司称此芯片将晶体管性能提高了20%至30%，将功耗降低了30%至50%。

　　之所以备受关注，一个重要的原因是，有传闻称，EUV光刻有望成为摩尔定律的“救星”。

　　半个多世纪以来，半导体行业按照摩尔定律不断发展，由此驱动了一系列的科技创新。随着芯片尺寸越来越逼近物理极限，摩尔定律在未来是否依旧奏效，成为现在全行业都在关注的问题。

　　那么，这项技术能否为摩尔定律“续命”？它又是否已经到了最好的应用节点？针对上述问题，科技日报记者采访了业内专家。

　　将电路图和电子元件“刻”到“底片”上

　　在认识EUV光刻前，让我们先来认识一下光刻技术。

　　“其实，光刻技术跟照相技术差不多，照相是将镜头里的图画‘印’到底片上，而光刻是将电路图和电子元件‘刻’到‘底片’上。”北京理工大学材料学院副研究员常帅在接受科技日报记者采访时介绍道，在光刻工艺中，通常以涂满光敏胶的硅片作为“底片”，电路图案经光刻机，缩微投射到“底片”上。制造芯片，要重复几十遍这个过程。

　　“光刻技术的主要作用，就是把芯片上的线路与功能区做出来。”曾在半导体行业工作多年的北京理工大学材料学院博士生孟令海对科技日报记者表示，利用光刻机发出的光，通过带有图形的光罩，对涂有光刻胶的薄片进行曝光，光刻胶见光后会发生化学反应，从而使光罩上的图形印到薄片上，线路和功能区随之显现。

　　常帅表示，在芯片加工过程中，光刻是其中一个重要的步骤，其甚至被认为是集成电路制造中最为关键的步骤，决定着制造工艺的先进程度。

　　摩尔定律指出，芯片上可容纳的元器件数目每隔18个月翻1倍，同时芯片性能每隔18个月提高一倍，而价格下降一半。

　　“光刻技术的‘雕刻’精细度，直接决定了元器件、电路等在芯片上所占的体积。因而，光刻是决定芯片能否按照摩尔定律继续发展的一项重要技术，如果没有光刻技术的进步，芯片制造工艺就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。”常帅说。

　　孟令海向记者说，随着芯片制造工艺由微米级向纳米级发展，光刻机所采用的光波波长也从近紫外（NUV）区间的436纳米、365纳米，进入深紫外（DUV）区间的248纳米、193纳米。

　　EUV光源波长为主流光源的1/14

　　EUV光刻所用的光波，是波长为13.5纳米的极紫外光。相比当前主流光刻机所采用的193纳米光源，EUV光源的波长约为前者的1/14，这使其能在硅片上“刻”出更细的痕迹。

　　“业内形容EUV光刻的精细程度，常打的一个比方是，好比从地球上射出的一缕手电筒光，其能精准地照到月球上的一枚硬币。”孟令海说。

　　为满足摩尔定律的要求，技术人员一直在研究、开发新的芯片制造技术，来缩小线宽并增大芯片的容量。“线宽是指芯片上最小导线的宽度，是衡量芯片制作工艺先进性的重要指标之一。”常帅说。

　　“如今，芯片制造商大多使用波长为193纳米的光刻技术，用其在‘底片’上‘描绘’出精细的图案。但实际上，193纳米光刻目前已经达到了技术极限，只能支持80纳米的线宽工艺，无法在芯片上实现更小线宽。”常帅说，由于光源更细，EUV光刻技术可以满足22纳米及更小线宽的集成电路生产要求。

　　“可以说，EUV是目前距离实际生产最近的一种深亚微米光刻技术。如果采用该光刻技术，可在芯片上实现10纳米以内的线宽。”孟令海说。

　　摩尔定律不只对性能提出要求，另一个要求是成本的降低。所以，“救星”还必须承担起省钱的重任。EUV光刻技术恰好能符合这个要求。